SK海力士研發(fā)“最強(qiáng)”閃存 處理速度提升

　　【手機(jī)中國新聞】近日，SK海力士宣布：“公司將主要應(yīng)用于3D閃存的CTF結(jié)構(gòu)與PUC技術(shù)結(jié)合起來，在上月領(lǐng)先全球率先研發(fā)出96層512Gbit的4D Nand閃存半導(dǎo)體，計(jì)劃在今年年內(nèi)進(jìn)行第一批量產(chǎn)”。96層Nand閃存將為三星電子和東芝半導(dǎo)體在今年下半年投入生產(chǎn)，是目前性能最強(qiáng)的閃存之一。

SK海力士研發(fā)“最強(qiáng)”閃存 （圖片來自網(wǎng)絡(luò)）

　　SK海力士在去年4月研發(fā)出72層3D Nand閃存之后，用了短短1年半就攻克了96層半導(dǎo)體技術(shù)，這種半導(dǎo)體體積比現(xiàn)在的72層512Gbit 3D Nand閃存縮小了30%以上，可以搭載到智能手機(jī)移動零部件之中，每張面板可以生產(chǎn)的記憶容量(bit)提升1.5倍，可同時(shí)處理的數(shù)據(jù)量更是提升一倍至業(yè)界最高水平的64KB，一個新的芯片產(chǎn)品可以取代2個原來的256Gbit 3D Nand閃存。SK海力士強(qiáng)調(diào)，“新芯片的讀寫能力分別比現(xiàn)在的72層產(chǎn)品提高了30%和25%”。 

　　SK海力士之所以自稱“全球首次”，是因?yàn)樵摴静煌谄渌雽?dǎo)體公司采用的2D Nand浮柵型閃存單元技術(shù)，而是將3D Nand使用的電荷擷取閃存(CTF，Charge Trap Flash)結(jié)構(gòu)與外圍電路(PUC，Peri Under Cell)構(gòu)造結(jié)合起來開發(fā)出了新的技術(shù)。PUC技術(shù)將用來驅(qū)動晶胞的周邊電路堆疊在儲存數(shù)據(jù)的晶胞陣列下方，相當(dāng)于將公寓樓(Nand閃存)所需要的停車場從公寓旁邊改建到了地下空間，以此方式提高空間使用效率。

　　SK海力士公司常務(wù)金正泰表示：“給予CTF技術(shù)的96層4D Nand閃存擁有業(yè)界最頂級的性能和成本優(yōu)勢”，“我們還正利用相同技術(shù)研發(fā)新一代128層4D Nand閃存”。

　　此外，SK海力士計(jì)劃在年內(nèi)推出搭載“4D Nand”內(nèi)存，這款產(chǎn)品擁有1TB容量固態(tài)硬盤（SSD）將會成為半導(dǎo)體存儲信息中新一代大容量儲存設(shè)備。

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