國行Mate 9/vivo X9發(fā)布 本周新機匯總

驍龍835發(fā)布

　　11月17日，美國高通公司宣布與三星電子合作推出全新的旗艦處理器——驍龍835。該處理器采用三星10納米FinFET制程工藝，并由三星電子代工。

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　　今年10月，三星率先在業(yè)界實現(xiàn)10納米FinFET工藝的量產。與其上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝可以減少高達30%的芯片尺寸，同時實現(xiàn)性能提升27%或高達40%的功耗降低。通過采用10納米FinFET工藝，驍龍835處理器具有更小的芯片尺寸，以支持更大的電池或更輕薄的設計。制程工藝的提升與更先進的芯片設計相結合，將會顯著提升電池續(xù)航。

支持Quick Charge 4快充

　　三星執(zhí)行副總裁及晶圓代工業(yè)務主管Jong Shik Yoon表示：作為晶圓代工業(yè)務的一項重要里程碑，此次合作顯示了高通對于對三星領先制程工藝的信心。目前，驍龍835已經投入生產，預計搭載該芯片的商用終端將于2017年上半年出貨。作為今年各大品牌旗艦機首選的驍龍820/驍龍821處理器的后續(xù)產品，驍龍835很有可能將延續(xù)輝煌戰(zhàn)績。

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