三星步伐速度加快:曝Note 8將于爆炸案一周年紀念日前發(fā)布
三星步伐速度加快:曝Note 8將于爆炸案一周年紀念日前發(fā)布
似乎爆炸案并沒有阻礙三星Note系列的腳步,2017年6月3日,據(jù)荷蘭網(wǎng)站Galaxy Club報道,三星確認今年仍會繼續(xù)推出Note 8產(chǎn)品,而且會比預(yù)期更早發(fā)布上市。
據(jù)報道,為了更早做好上市準備,三星正在基于Android 7.1.1平臺測試Note 8手機,發(fā)布窗口會在8月底到9月初,很有可能在9月1日的德國IFA發(fā)布。
網(wǎng)站同時確認,三星Note8采用了18.5:9縱橫比的屏幕,延續(xù)與Galaxy S8和S8+相似的全視曲面屏設(shè)計。那么按照這個說法,再加上三星Note 8曲面延伸的長度,那么超過6寸屏幕的可能性就非常高了。
雖然不知道這張設(shè)計草稿的真實性如何,但是按照此圖來看,指紋傳感器應(yīng)該就在機身背面。音量鍵下方是三星人工智能Bixby的獨有物理按鍵。
說回4K屏幕。通常來講,4K屏幕的解析度為3840 x 2160,不過Note 8的屏幕比例是18.5:9 的話,其解析度很有可能將達4428×2160。
此外,雙攝像頭將會是三星Note 8的重要升級之一。因為該系統(tǒng)將支援 3 倍光學變焦,其中 1,200 萬像素的鏡頭為廣角設(shè)計,配備最新的雙光電二極體技術(shù)。至于 1,300 萬像數(shù)的鏡頭則采用長焦鏡,兩顆鏡頭都為 6 片鏡片設(shè)計,且都支持防手震功能。由此看來,Note 8的照相能力應(yīng)該是在iPhone 7 Plus之上。
三星在2017年4月份的時候發(fā)表了MRAM(magnetoresistant random access memory,磁阻式隨機內(nèi)存),性能比現(xiàn)在NAND快1000倍。鑒于MRAM對標的是英特爾3D cross point,因此,這屬于一種次世代內(nèi)存。
相關(guān)資料顯示,MRAM無需電源也能儲存資料,采用自旋傳輸科技(Spin-torque transfer)讀寫數(shù)據(jù),同時MRAM 使用時耗電量比傳統(tǒng)記憶體少,停用時更無需用電。
處理器方面應(yīng)該會是驍龍835,但是并沒有相關(guān)消息能夠明示。
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